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J-GLOBAL ID：200902248651671179   整理番号：07A0342558

耐久力のある高性能の空気に安定な有機電界効果トランジスタのための新しい半導体材料の開発

Development of New Semiconducting Materials for Durable High-performance Air-stable Organic Field-effect Transistors

著者 (3件)： TAKIMIYA Kazuo (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima Univ.) ,  KUNUGI Yoshihito (Dep. of Applied Chemistry, Fac. of Engineering, Tokai Univ.) ,  OTSUBO Tetsuo (Dep. of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Hiroshima Univ.)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
巻： 36  号： 5  ページ： 578-583 (J-STAGE)  発行年： 2007年 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)のための高性能半導体材料...

シソーラス用語： *硫黄複素環化合物 ,...

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分類 (2件)： チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (73件)：

• 1) a) H. E. Katz, Z. Bao, S. L. Gilat, Acc. Chem. Res. 2001, 34, 359.
•  b) C. D. Dimitrakopoulos, P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. 2002, 14, 99.
•  c) C. Reese, M. Roberts, M. Ling, Z. Bao, Mater. Today 2004, 7, 20.
•  d) G. Horowitz, J. Mater. Res. 2004, 19, 1946.
•  e) Y. Sun, Y. Liu, D. Zhu, J. Mater. Chem. 2005, 15, 53.

タイトルに関連する用語 (5件)： 耐久力 ,  高性能 ,  有機電界効果トランジスタ ,  半導体材料 ,  開発