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J-GLOBAL ID：200902248683018655   整理番号：09A0127484

素子面積の大きなGaN p-i-nアバランシェフォトダイオードの安定した増倍利得

Stable multiplication gain in GaN p-i-n avalanche photodiodes with large device area

著者 (13件)： LIU W B (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHAO D G (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  SUN X (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG S (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIANG D S (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG H (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG S M (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Z S (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU J J (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Y T (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  DUAN L H (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YANG H (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YANG H (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Acad. of Sci., Suzhou, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 42  号： 1  ページ： 015108,1-5  発行年： 2009年01月07日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電子増倍管を用いた紫外検出器は大型で高額である。最近,GaN系紫外フォトダイオードが光検出器として用いられてきた。本研究では高品質のGaNエピタキシャル層を持つ可視遮光p-i-nアバランシェフォトダイオード(APD)をc面サファイア基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)により作製した。直径200μmの素子に逆バイアス20Vを印加したときの暗電流は約0.05nAと低い。紫外線照射(360nm)時のアバランシェ増倍利得は57であった。

シソーラス用語： *アバランシェフォトダイオード ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  エピタクシー ,  *PINダイオード ,  基板 ,  MOCVD ,  暗電流 ,  *紫外検出器
準シソーラス用語： サファイア基板

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 面積 ,  GaN ,  アバランシェフォトダイオード ,  利得