GaNにおける欠陥の発光特性

RESHCHIKOV Michael A.; MORKOC Hadis

文献

J-GLOBAL ID：200902248983905238 整理番号：05A0432567

GaNにおける欠陥の発光特性

Luminescence properties of defects in GaN

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資料名：
巻： 97 号： 6 ページ： 061301.1-061301.95 発行年： 2005年03月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaNは緑色~紫外領域の光デバイス材料として有用である。しか...

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半導体の格子欠陥 , 半導体のルミネセンス

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