CHO K. H. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
YEO K. H. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
YEOH Y. Y. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
SUK S. D. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
LEE J. M. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
KIM M.-s. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
KIM D.-w. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
PARK D. について
Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ... について
HONG B. H. について
Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ... について
JUNG Y. C. について
Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ... について
HWANG S. W. について
Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ... について
Applied Physics Letters について
ケイ素 について
半導体 について
ナノワイヤ について
FET【トランジスタ】 について
ゲート【半導体】 について
長さ について
ソース【半導体】 について
ドレイン【半導体】 について
電流電圧特性 について
バリスティック輸送 について
電気抵抗 について
円筒 について
MOS構造 について
ゲート長 について
トランスコンダクタンス について
チャネル長 について
トランジスタ について
金属-絶縁体-半導体構造 について
ゲートオールアラウンド構造 について
シリコンナノワイヤ について
酸化物 について
電界効果トランジスタ について
バリスティック輸送 について
実験 について