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J-GLOBAL ID：200902249278478238   整理番号：08A0155236

円筒状のゲートオールアラウンド構造を持つ二本のシリコンナノワイヤを基本とする金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるバリスティック輸送の実験的確証

Experimental evidence of ballistic transport in cylindrical gate-all-around twin silicon nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

著者 (12件)： CHO K. H. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  YEO K. H. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  YEOH Y. Y. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  SUK S. D. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  LI M. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  LEE J. M. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  KIM M.-s. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  KIM D.-w. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  PARK D. (Advanced Technol. Dev. Team 1, R&D Center, Samsung Electronics Co., San 24, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-City ...) ,  HONG B. H. (Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ...) ,  JUNG Y. C. (Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ...) ,  HWANG S. W. (Res. Center for Time-domain Nano-functional Devices and School of Electrical Engineering, Korea Univ., 5-1 Anam-Dong ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 5  ページ： 052102  発行年： 2008年02月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半径が4nmで,ゲート長が22~408nmの円筒状のゲートオールアラウンド構造を持つ2本のシリコンナノワイヤを基本とする金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける電気的特性を研究した。チャンネル長が46nm以下の素子において,ソース-ドレインバイアスが線形の領域で相互コンダクタンスに強いオーバーシュート現象が観測された。素子の長さの関数として測定したゼロバイアスの一次元バリスティック抵抗の傾斜から求めた平均自由行程はチャネル長と同程度であることが判明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゲート【半導体】 ,  長さ ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  バリスティック輸送 ,  電気抵抗 ,  円筒 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： ゲート長 ,  トランスコンダクタンス ,  チャネル長

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲートオールアラウンド構造 ,  シリコンナノワイヤ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  バリスティック輸送 ,  実験