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J-GLOBAL ID：200902249498458572   整理番号：05A0344119

エピタクシー基板に使用する高度ボロンドープSiウエハの高精度化学的機械的研磨

High precision chemical mechanical polishing of highly-boron-doped Si wafer used for epitaxial substrate

著者 (9件)： WATANABE J. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  YU G. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ERYU O. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KOSHIYAMA I. (Fujimi Inc., Aichi, JPN) ,  IZUMI K. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKASHIMA K. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KODAMA K. (Fujimi Inc., Aichi, JPN)
資料名： Precision Engineering  (Precision Engineering)
巻： 29  号： 2  ページ： 151-156  発行年： 2005年04月 
JST資料番号： A0734B  ISSN： 0141-6359  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記研磨により生じる同心円パターンの表面うねりの生成機構を調...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタクシー ,  Siウエハ ,  化学的機械的研磨