文献

J-GLOBAL ID：200902249647093191   整理番号：09A0289703

SiO₂上に堆積した単層グラフェンの内因性及び外因性波形構造

Intrinsic and extrinsic corrugation of monolayer graphene deposited on SiO₂

著者 (14件)： GERINGER V. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  GERINGER V. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU) ,  LIEBMANN M. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  LIEBMANN M. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU) ,  ECHTERMEYER T. (AMO GmbH, Aachen, DEU) ,  RUNTE S. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  RUNTE S. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU) ,  SCHMIDT M. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  SCHMIDT M. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU) ,  RUECKAMP R. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  RUECKAMP R. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU) ,  LEMME M. C. (AMO GmbH, Aachen, DEU) ,  MORGENSTERN M. (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  MORGENSTERN M. (JARA: Fundamentals of Future Information Technol., Aachen, DEU)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 102  号： 7  ページ： 076102.1-076102.4  発行年： 2009年02月20日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空走査型トンネル顕微鏡(UHV-STM)及び走査型トンネル分光(STS)により,SiO₂上の高移動度グラフェンフレークを研究した。基板により誘起されたのではないメソスコピック波形構造を同定した。それはやや規則的で,約15nmの優先波長及び0.32nmのrms粗さをもつ液体的相関特性を示した。基板の長範囲波形構造はグラフェン上で可視的であるが,基板上でより小さい振幅であるので,リップルグラフェンは部分的に自由に懸垂されていると結論した。

シソーラス用語： グラファイト ,  単一層 ,  *二酸化ケイ素 ,  性質 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  表面粗さ ,  液体 ,  *グラフェン ,  *内因性 ,  走査トンネル電子分光法
準シソーラス用語： *単層 ,  *波形構造 ,  *外因性 ,  走査型トンネル分光

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  堆積 ,  単層グラフェン ,  内因性 ,  波形構造