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J-GLOBAL ID：200902249763190838   整理番号：07A1152227

深紫外光検出器への応用を目的としたGa₂O₃薄膜の分子ビームエピタクシーによるc-面サファイア基板上への成長

Ga₂O₃ Thin Film Growth on c-Plane Sapphire Substrates by Molecular Beam Epitaxy for Deep-Ultraviolet Photodetectors

著者 (3件)： OSHIMA Takayoshi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUNO Takeya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 11  ページ： 7217-7220  発行年： 2007年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーによって,(201)配向し...

シソーラス用語： *紫外検出器 ,...
準シソーラス用語： 深紫外線

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分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

引用文献 (18件)：

• J. Li, Z. Y. Fan, R. Dahal, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jang: Appl. Phys. Lett.89(2006)213510.
• V. V. Kuryatkov, B. A. Borisov, S. A. Nikishin, Y. Kudryavtsev, R. Asomoza, V. I. Kuchinskii, G. S. Sokolovskii. D. Y. Song, and M. Holtz: J. Appl. Phys.100(2006)096104.
• K. Koike, K. Hama, I, Nakashima, G. Takada, K. Ogata, S. Sada, M. Inoue, and M. Yano: J. Cryst. Growth 278(2005)288.
• M. Liao, Y. Koide, and J. Alvarez: Appl. Phys. Lett.90(2007)123507.
• T. Takagi, H. Tanaka, Sz. Fujita, and Sg. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003) L401.

タイトルに関連する用語 (8件)： 深紫外 ,  光検出器 ,  応用 ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  分子ビームエピタクシー ,  サファイア基板 ,  成長