文献

J-GLOBAL ID：200902249914195101   整理番号：04A0504167

KrFフォトレジストにおけるラインエッジ粗さに対する酸拡散長さの影響

Influence of Acid Diffusion Length on Line Edge Roughness in KrF Photoresists

著者 (8件)： KIM J H (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM Y-H (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  CHON S M (Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  NAGAI T (JSR Corp., Mie, JPN) ,  NODA M (JSR Corp., Mie, JPN) ,  YAMAGUCHI Y (JSR Corp., Mie, JPN) ,  MAKITA Y (JSR Corp., Mie, JPN) ,  NEMOTO H (JSR Corp., Mie, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 17  号： 3  ページ： 379-384  発行年： 2004年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アセタールタイプフォトレジスト(PR)とアニーリングタイプP...

シソーラス用語： フッ化クリプトン ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0504167&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 4-ヒドロキシスチレン

引用文献 (13件)：

• 1. Y.-S. Kim, Y. Kim, S.-H. Lee, Y.-G. Yim, D.-B. Kim, J.-H. Kim, Proc. SPIE 4690 (2002) 829
• 2. S.-J. Choi, Y.-J. Choi, Y.-S. Kim, S.-D. Kim, D.-B. Kim, J.-H. Kim, Proc. SPIE 4345 (2001) 94.
• 3. M. Watanabe, S. Yabe, S. Machida, and T. Taguchi., Journal of Photopolymer Science and Technology, 12 (1999) 643.
• 4. J. Cobb, et al., Proc. SPIE 4690 (2002) 277.
• 5. B.J. Rice, H. Cao, M. Chandhok, and R. Meagley, Proc. SPIE, 5039 (2003) 384.

タイトルに関連する用語 (4件)： フォトレジスト ,  ラインエッジ粗さ ,  酸 ,  拡散