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J-GLOBAL ID：200902250064980899   整理番号：08A0179286

HgTe量子井戸における量子スピンHall絶縁体状態

Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum Wells

著者 (8件)： KOENIG Markus (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  WIEDMANN Steffen (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  BRUENE Christoph (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  ROTH Andreas (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  BUHMANN Hartmut (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  MOLENKAMP Laurens W. (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  QI Xiao-Liang (Stanford Univ., CA, USA) ,  ZHANG Shou-Cheng (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 318  号： 5851  ページ： 766-770  発行年： 2007年11月02日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反転HgTe量子井戸の電子構造は量子スピンHall絶縁体状態の観測を可能にする性質を示すことが理論的に予測されている。筆者らの実験によりこれを確証した。分子線エピタキシーを用いて薄いHgTe量子井戸を成長させた。HgTe層の厚さdが6.3nmより薄いとき絶縁条件は低温で非常に小さいコンダクタンスという通常の挙動を示した。d>6.3nmの場合は名目的に絶縁的条件は2e²/hに近い残留コンダクタンスのプラトーを示した。残留コンダクタンスは試料幅には無関係で,それが端状態により生じることを示している。臨界厚さd=6.3nmでの量子相転移も磁場誘導の絶縁体-金属転移から独立に決定した。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *テルル化水銀 ,  *電子構造 ,  *MBE成長 ,  *電気抵抗 ,  絶縁材料 ,  Hall効果 ,  量子Hall効果 ,  相転移 ,  絶縁体 ,  量子相転移
準シソーラス用語： スピンHall効果 ,  量子スピンHall絶縁体

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： HgTe ,  量子井戸 ,  量子スピンHall絶縁体