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J-GLOBAL ID：200902250199306896   整理番号：08A0574901

紫色InGaNレーザダイオードの偏光依存光学特性

Polarization-dependent optical characteristics of violet InGaN laser diodes

著者 (2件)： YEN Sheng-horng (Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  KUO Yen-kuang (Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 10  ページ： 103115  発行年： 2008年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる動作温度でのバンド図,発光波長,しきい値電流などの紫色InGaNレーザダイオードの偏光依存光学特性を数値的に調べた。特に,ウルツ鉱構造を持つレーザダイオードをGa面及びN面方位に沿って成長させたとき,それぞれ常偏光及び逆偏光が示された。最低しきい値電流は,常偏光を持つ二重量子井戸レーザダイオードに対して得られ,また逆偏光を持つ単一量子井戸レーザダイオードに対して得られることをシミュレーション結果は示した。この現象に対する主な物理的説明は,逆偏光の考えを考慮したときの電子漏れ電流の効果的な減少,正孔電流密度の増大,活性領域内のShockley-Read-Hall再結合速度の減少による。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  可視レーザ ,  *光学的性質 ,  多重量子井戸 ,  素子構造 ,  シミュレーション ,  バンド構造 ,  キャリア再結合 ,  *偏光 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 偏光依存性

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 紫色 ,  InGaN ,  レーザダイオード ,  偏光 ,  光学特性