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J-GLOBAL ID：200902250263362053   整理番号：06A1014502

ナノスケールMOSFETにおける準バリスティック輸送の量子的補正をしたモンテカルロ研究

A Quantum-Corrected Monte Carlo Study on Quasi-Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs

著者 (4件)： TSUCHIYA Hideaki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  FUJII Kazuya (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  MORI Takashi (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  MIYOSHI Tanroku (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53  号： 12  ページ： 2965-2971  発行年： 2006年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子補正MC(モンテカルロ)デバイスシミュレーションを用いて...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： Natoriの解析モデル ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  MOSFET ,  準バリスティック輸送 ,  量子的補正 ,  モンテカルロ ,  研究