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J-GLOBAL ID：200902250417353958   整理番号：08A0519629

ナノ構造のあるテルル化ビスマスアンチモンバルク合金に関する高い熱電性能

High-Thermoelectric Performance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys

著者 (17件)： POUDEL Bed (Boston Coll., MA, USA) ,  POUDEL Bed (GMZ Energy, Inc., MA, USA) ,  HAO Qing (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  MA Yi (Boston Coll., MA, USA) ,  MA Yi (GMZ Energy, Inc., MA, USA) ,  LAN Yucheng (Boston Coll., MA, USA) ,  MINNICH Austin (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  YU Bo (Boston Coll., MA, USA) ,  YAN Xiao (Boston Coll., MA, USA) ,  WANG Dezhi (Boston Coll., MA, USA) ,  MUTO Andrew (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  VASHAEE Daryoosh (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  CHEN Xiaoyuan (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  LIU Junming (Nanjing Univ., CHN) ,  DRESSELHAUS Mildred S. (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  CHEN Gang (Massachusetts Inst. Technol. (MIT), MA, USA) ,  REN Zhifeng (Boston Coll., MA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 320  号： 5876  ページ： 634-638  発行年： 2008年05月02日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体熱電素子に関する基礎研究の一環として,本研究では,ナノ構造のあるテルル化ビスマスアンチモン合金について,高い熱電性能を観測した。その結果に基づいて,1)p型ナノ結晶BiSbTeバルク試料について,100°Cでの熱電性能指数として1.4を達成したこと,2)この試料は,結晶性インゴットをボールミリングしたナノ粒子から,ホットプレスで調製したこと,3)上記の性能指数は,粒界フォノン散乱の増大に起因する低い熱伝導率がもたらすこと,4)この合金は電子冷却素子として有望であること,などを記した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  金属間化合物 ,  *ビスマス合金 ,  アンチモン含有合金 ,  テルル含有合金 ,  性能指数 ,  ボールミル ,  ナノ粒子 ,  ホットプレス ,  熱伝導率 ,  散乱 ,  電子冷却素子 ,  *熱電効果 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  温度依存性 ,  制限視野回折
準シソーラス用語： フォノン散乱

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ構造 ,  テルル化ビスマスアンチモン ,  バルク ,  合金