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J-GLOBAL ID：200902251014537273   整理番号：03A0685432

原子層エピタクシーによるGe(100)基板上へのZrO₂の局所エピタキシャル成長

Local epitaxial growth of ZrO₂ on Ge (100) substrates by atomic layer epitaxy

著者 (4件)： KIM H (Stanford Univ., California) ,  CHUI C O (Stanford Univ., California) ,  SARASWAT K C (Stanford Univ., California) ,  MCINTYRE P C (Stanford Univ., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 13  ページ： 2647-2649  発行年： 2003年09月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記によりゲートZrO₂膜を局所エピタ...

シソーラス用語： MOSFET ,...
準シソーラス用語： 酸化物換算膜厚

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層エピタクシー ,  Ge ,  ZrO2 ,  エピタキシャル成長