グラフェンSNS接合におけるJosephson電流と多重Andreev反射

DU Xu; SKACHKO Ivan; ANDREI Eva Y.

文献

J-GLOBAL ID：200902251317274801 整理番号：08A0685989

グラフェンSNS接合におけるJosephson電流と多重Andreev反射

Josephson current and multiple Andreev reflections in graphene SNS junctions

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資料名：
巻： 77 号： 18 ページ： 184507.1-184507.5 発行年： 2008年05月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多くの提案されている超伝導体-グラフェン-超伝導体(SNS)接合に基づく物理現象とデバイスは暗に弾道輸送を仮定している。しかし,SGSにおける弾道輸送あるいは相対論的電荷キャリアを支持する確固とした証明はない。今日の技術でSi/SiO₂基板上に作成したSGS接合が実際には拡散的であり,平均自由行路は接合長よりもはるかに短いことを示した。これらの接合において,拡散SNS接合模型と,多重Andreev反射,Josephson臨界電流I_c,そして積I_cR_n(R_nは正常状態の抵抗)のゲート依存性を含むデータのすべての側面との間に密接な定量的一致を見出した。対照的に,弾道SGS接合模型の予測は実験結果と一致しないことを示した。

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Josephson接合・素子

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