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J-GLOBAL ID：200902251575539682   整理番号：08A0448955

液晶性半導体を用いた溶液プロセスによる薄膜トランジスターの作製

著者 (3件)： 舟橋正浩 (東大 大学院) ,  ZHANG Fapei (東大 大学院) ,  玉置信之 (産業技術総合研 ナノテクノロジー研究部門)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 0  ページ： 132  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *液晶 ,  *半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  誘導 ,  薄膜 ,  *スメクチック相 ,  チオフェン類
準シソーラス用語： 誘起 ,  チオフェン誘導体

分類 (2件)： その他の液晶  (BK03030H) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 液晶性半導体 ,  溶液 ,  プロセス ,  薄膜トランジスター ,  作製