〈-110〉方向に沿ったメサ型加工基板へのMBE成長とGaAsリッジ細線の形成過程

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J-GLOBAL ID：200902251676552370 整理番号：05A0425640

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巻： 52nd 号： 1 ページ： 359 発行年： 2005年03月29日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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