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J-GLOBAL ID：200902251861439415   整理番号：06A0156915

分子ビームエピタクシーによって成長させた(CdS/ZnSe)/BeTe超格子の特性に対するZnSe界面層効果

ZnSe interlayer effects on properties of (CdS/ZnSe)/BeTe superlattices grown by molecular beam epitaxy

著者 (4件)： LI B. S. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKIMOTO R. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  AKITA K. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...) ,  HASAMA T. (Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 4  ページ： 044912-044912-8  発行年： 2006年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (CdS/ZnSe)/BeTe超格子中のZnSe界面層の厚さ...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  CdS ,  ZnSe ,  超格子 ,  界面層