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J-GLOBAL ID：200902252208226771   整理番号：08A0278834

イオン照射により製造したL1₀-A1FePtパターン化薄膜の磁化過程のMFM解析

MFM analysis of the magnetization process in L1₀-A1 FePt patterned film fabricated by ion irradiation

著者 (7件)： HASEGAWA Takashi (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN) ,  PEI W. (Coll. of Materials and Metallurgy, Northeastern Univ., Shenyang 110004, CHN) ,  WANG T. (Venture Business Lab., Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN) ,  FU Y. (Venture Business Lab., Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN) ,  WASHIYA T. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN) ,  SAITO H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN) ,  ISHIO S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Akita Univ., 1-1 Gakuen-machi, Tegata, Akita 010-8502, JPN)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 56  号： 7  ページ： 1564-1569  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.1原子%(1.5×10¹⁴イオンcm^-2)の量のGa⁺イオンを,収束イオンビーム(FIB)により薄膜面に対して垂直な〔001〕結晶集合組織を持つL1₀FePt上に照射した。また軟磁性領域(A1構造,100nm幅)により隔てられた高い保磁力を持つ四角形(L1₀構造,300×300nm²及び100×100nm^-2)から成る二次元パターンを製造した。パターン化薄膜の磁気ドメイン構造が,インフィールド磁気力顕微鏡(MFM)により観察された。磁気残留状態において,薄膜表面に垂直な磁気化されている領域が,L1₀四角面の中央部で認められた。一方逆磁気化した狭い領域は,四角形の周辺部である。磁化過程を,MFM観察に基づいて議論する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *白金合金 ,  鉄含有合金 ,  *金属薄膜 ,  集束イオンビーム ,  重イオン照射 ,  ガリウム ,  *パターン形成 ,  磁気力顕微鏡 ,  磁区構造 ,  *L10型金属間化合物 ,  *磁化過程

分類 (1件)： 磁気的性質  (WB02020J)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン照射 ,  パターン化 ,  薄膜 ,  磁化過程 ,  解析