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J-GLOBAL ID：200902252310383130   整理番号：08A0559124

自己整列,全印刷高分子薄膜トランジスタのダウンスケーリング

Downscaling of self-aligned, all-printed polymer thin-film transistors

著者 (4件)： NOH Yong-Young (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  ZHAO Ni (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  CAIRONI Mario (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  SIRRINGHAUS Henning (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 2  号： 12  ページ： 784-789  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コスト,大面積溶液処理,直接書込みプリンティングにより100-400nmチャンネル長までのプリント有機薄膜トランジスタ(OTFT)の製造が可能な自己整列プリントアプローチを報告する。橋かけポリメタクリル酸メチル(PMMA)高分子ゲート誘電体(30-50nm厚)の使用により,基本スケーリング要件が満足し,操作電圧が5V.以下であることが確実になった。自己整列ゲート配位は,寄生的なオーバラップキャパシタンスを0.2-0.6 pF mm-1以下の値に最小化し,転移周波数fT=1.6MHzを可能にする。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ポリメタクリル酸メチル ,  *絶縁膜 ,  FET【トランジスタ】 ,  電流密度 ,  電場効果 ,  速度 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 有機薄膜トランジスタ ,  ゲート誘電体 ,  OTFT ,  スイッチング速度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己整列 ,  高分子薄膜 ,  トランジスタ ,  ダウンスケーリング