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J-GLOBAL ID：200902252398874421   整理番号：04A0190015

Si,Ge及びSnドープGaNの光学的性質

Optical properties of Si-, Ge- and Sn-doped GaN
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著者 (8件)：
SHIKANAI A

SHIKANAI A について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
FUKAHORI H

FUKAHORI H について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
KAWAKAMI Y

KAWAKAMI Y について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について

, 
HAZU K

HAZU K について

(Waseda Univ., Tokyo, JPN)

Waseda Univ., Tokyo, JPN について

, 
SOTA T

SOTA T について

(Waseda Univ., Tokyo, JPN)

Waseda Univ., Tokyo, JPN について

, 
MITANI T

MITANI T について

(Nichia Corp., JPN)

Nichia Corp., JPN について

, 
MUKAI T

MUKAI T について

(Nichia Corp., JPN)

Nichia Corp., JPN について

, 
FUJITA S

FUJITA S について

(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)

Kyoto Univ., Kyoto, JPN について


資料名：
Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002  (Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002)

Proceedings. 10th International Conference on Shallow Level Centers in Semiconductors, 2002 について


ページ： 26-30  発行年： 2003年 
JST資料番号： K20030106  ISSN： 1610-1634  ISBN： 3-527-40435-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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サファイア基板上に成長した標記GaNエピ層からの光ルミネセン...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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化合物半導体

化合物半導体 について

,...
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MOVPE

MOVPE について


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分類 (2件)：
分類
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半導体の可視・紫外スペクトル 
(BM08083Y)

半導体の可視・紫外スペクトル について

,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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Si

Si について

, 
Ge

Ge について

, 
Sn

Sn について

, 
ドープ

ドープ について

, 
GaN

GaN について

, 
光学的性質

光学的性質 について


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