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J-GLOBAL ID：200902252420774525   整理番号：09A0995426

単一カーボンナノチューブFET構造を用いた光電流測定

Photoconductivity measurements on individual single-walled carbon nanotube FETs

著者 (7件)： MURAI T. (Univ. of Tokyo) ,  MORITSUBO S. (Univ. of Tokyo) ,  SHIMADA T. (Univ. of Tokyo) ,  MURAKAMI Y. (Univ. of Tokyo) ,  MARUYAMA S. (Univ. of Tokyo) ,  KATO Y. K. (Univ. of Tokyo) ,  KATO Y. K. (JST-PRESTO)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 1  ページ： 462  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *光電流 ,  *FET【トランジスタ】 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  化学蒸着 ,  パターン形成 ,  電子ビームリソグラフィー ,  微細加工 ,  走査電子顕微鏡 ,  基板 ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： バックゲート ,  リフトオフ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (1件)： エタノール

タイトルに関連する用語 (2件)： カーボンナノチューブFET ,  光電流