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J-GLOBAL ID：200902252523179951   整理番号：03A0385160

GaNでの「黄色ルミネセンス」に対するガリウム空格子点および炭素関連欠陥の寄与

Contributions from gallium vacancies and carbon-related defects to the “yellow luminescence” in GaN

著者 (8件)： ARMITAGE R (Univ. California, California) ,  HONG W (Univ. California, California) ,  YANG Q (Univ. California, California) ,  FEICK H (Univ. California, California) ,  GEBAUER J (Univ. California, California) ,  WEBER E R (Univ. California, California) ,  HAUTAKANGAS S (Helsinki Univ. Technol., Helsinki, FIN) ,  SAARINEN K (Helsinki Univ. Technol., Helsinki, FIN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 20  ページ： 3457-3459  発行年： 2003年05月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に分子ビームエピタクシーで成長させた炭素ドー...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  黄色 ,  ルミネセンス ,  ガリウム ,  空格子点 ,  炭素 ,  欠陥