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J-GLOBAL ID：200902252647225978   整理番号：09A1135103

化合物半導体の製造技術とデバイスへの応用 材料編 化合物太陽電池用スパッタターゲット

著者 (2件)： 海野貴洋 (高純度化学研) ,  安部秀吉 (高純度化学研)
資料名： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
巻： 48  号： 11  ページ： 42-44  発行年： 2009年11月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 太陽電池用シリコン材料の不足が問題となり,化合物太陽電池が注目されている。本稿では,光吸収層材料CIGS[Cu(In,Ga)Se₂],Cu(In,Ga)S₂,Cu₂ZnSnS₄ターゲット,およびCu(In,Ga)Se₂ターゲットを用いた成膜例を紹介した。それぞれのスパッタターゲットの特性を紹介した。そして,Cu(In,Ga)Se₂焼結体,およびCu₂ZnSnS₄焼結体の外観とX線回折結果,およびCu(In,Ga)Se₂ターゲットによるスパッタ膜のX線回折と伝導型,および分光透過率の測定結果を示した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  ターゲット ,  *セレン化インジウム銅 ,  焼結体 ,  X線回折 ,  透過率 ,  *スパッタ蒸着 ,  薄膜成長 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *CIGS太陽電池 ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 化合物半導体 ,  応用 ,  化合物太陽電池 ,  スパッタターゲット