文献

J-GLOBAL ID：200902252792277374   整理番号：03A0283271

最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション 90~65nmプロセス対応のプラズマ酸化・窒化装置

Plasma Oxidation and Nitridation Machine for 90-65nm Node Processes

著者 (4件)： 小川雲龍 (日立国際電気 富山工場) ,  示野和弘 (日立国際電気 富山工場) ,  佐藤徳芳 (東北大 工) ,  古川亮一 (日立 デバイス開セ)
資料名： 日立評論
巻： 85  号： 4  ページ： 329-332  発行年： 2003年04月01日 
JST資料番号： F0062A  ISSN： 0367-5874  CODEN： HITAA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイス製造過程の高度化にこたえるため,株式会社日立国...

シソーラス用語： ナノメータ加工 ,...
準シソーラス用語： *プラズマプロセシング ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0283271&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0062A") }}

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 最先端 ,  半導体デバイス ,  量産 ,  ソリューション ,  プロセス ,  プラズマ酸化 ,  窒化