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J-GLOBAL ID：200902252903521857   整理番号：05A0719751

薄膜のイオンビーム照射誘起自立を用いた微小電界エミッタチップの製作

Fabrication of Micro Field Emitter Tip Using Ion-Beam Irradiation-Induced Self-Standing of Thin Films

著者 (3件)： YOSHIDA Tomoya (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  BABA Akiyoshi (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7B  ページ： 5744-5748  発行年： 2005年07月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高アスペクト比チップ構造の製作に関する新しい自立法を提示した...

シソーラス用語： *ナノメータ加工 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (5件)：

• 1) T. Asano: IEEE Trans. Electron Devices 38 (1991) 2392.
• 2) K. Higa, K. Nishii and T. Asano: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>16</B> (1998) 651.
• 3) M. Nagao, K. Tokunaga, Y. Tamura, T. Matsukawa, S. Kanemaru and J. Itho: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>20</B> (2002) 2309.
• 4) K. Nishimura, Z. Shen, M. Fujikawa, A. Hosono, N. Hashimoto, S. Kawamoto, S. Watanabe and S. Nakata: Proc. 16th Int. Vaccum Microelectronics Conf. (2003) p. 49.
• 5) Properties of Metal Silicides (EMIS Datareviews Series No. 14) eds. K. Maex and M. V. Rossum (Inspec/Iee, 1995) p. 9.

タイトルに関連する用語 (7件)： 薄膜 ,  イオンビーム照射 ,  誘起 ,  自立 ,  微小 ,  電界エミッタ ,  製作