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J-GLOBAL ID：200902253099958089   整理番号：09A0959622

コンパクトで低コストの1ワットおよび4ワットのクワッド・フラット・ノンリード(QFN)パッケージ型Kaバンド高出力増幅器

Compact Low-Cost 1-Watt and 4-Watt Quad Flat Non-Leaded (QFN) Packaged Ka-Band High Power Amplifiers

著者 (2件)： SUH Young-Ho (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  CHEN Shuoqi (TriQuint Semiconductor, TX, USA)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2009 Vol.1  ページ： 545-548  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コストの標準的な4×4および5×5mm²プラスチックQFNパッケージを使った,コンパクトなKaバンド動作の1ワットおよび4ワット高出力増幅器を作製した。この増幅器は出力1ワット以上のQFNパッケージ増幅器で最小サイズを実現し,従来のSMD組立工程と完全な互換性があることから組込コストと複雑さを大幅に削減できる。1ワット増幅器は電力付加効率(PAE)26%で連続飽和出力最小+30dBm,4ワット増幅器は電力付加効率23%で連続飽和出力最小+36dBmを達成した。試験基板およびパッケージに関する温度解析を行った結果,試験基板底部温度85°Cの条件で最大チャネル温度約148.58°Cとなり,信頼性基準150°Cを超えないことを確認した。

シソーラス用語： 周波数帯 ,  *電力増幅器 ,  ICパッケージ ,  原価 ,  コンパクト性 ,  プラスチック ,  電力付加効率 ,  温度 ,  電子部品 ,  MMIC
準シソーラス用語： *Kaバンド ,  *QFN ,  SMD【デバイス】 ,  コンパクトさ ,  出力増幅器 ,  低コスト

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： コンパクト ,  ワット ,  QFN ,  パッケージ ,  Kaバンド ,  出力増幅器