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J-GLOBAL ID：200902253252363065   整理番号：04A0794113

Ca₃NbGa₃Si₂O₁₄単結晶の圧電特性

Piezoelectric Properties of Ca₃NbGa₃Si₂O₁₄ Single Crystal

著者 (5件)： KARAKI T (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  SATO R (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  ADACHI M (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  KUSHIBIKI J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ARAKAWA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 9B  ページ： 6721-6724  発行年： 2004年09月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralski法によりランガサイト型単結晶Ca<su...

シソーラス用語： *圧電材料 ,...
準シソーラス用語： ランガサイト型結晶 ,...

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分類 (1件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

引用文献 (21件)：

• 1) A. A. Kaminskii, I. M. Silvestrova and G. A. Denisenko: Phys. Status Solidi 80 (1983) 607.
• 2) A. B. Ilyaev, B. S. Umarov, L. A. Shabanova and M. F. Dubovik: Phys. Status Solidi A 98 (1986) K190.
• 3) S. A. Sakharov, I. M. Larionov and A. V. Medvedev: Proc. 1992 IEEE Frequency Control Symp. (1992) p. 713.
• 4) M. Adachi, T. Kimura, W. Miyamoto, Z. Chen and A. Kawabata: J. Korean Phys. Soc. 32 (1998) S1274.
• 5) K. Inoue and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 2909.

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶 ,  圧電特性