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J-GLOBAL ID：200902253262702844   整理番号：09A0040118

ハイスループットエピタクシーによる不揮発性重合体メモリ用の秩序化強誘電性PVDF-TrFE薄膜

Ordered Ferroelectric PVDF-TrFE Thin Films by High Throughput Epitaxy for Nonvolatile Polymer Memory

著者 (7件)： PARK Youn Jung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Seok Ju (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  LOTZ Bernard (Inst. Charles Sadron, Strasbourg, FRA) ,  BRINKMANN Martin (Inst. Charles Sadron, Strasbourg, FRA) ,  THIERRY Annette (Inst. Charles Sadron, Strasbourg, FRA) ,  KIM Kap Jin (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Cheolmin (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Macromolecules  (Macromolecules)
巻： 41  号： 22  ページ： 8648-8654  発行年： 2008年11月25日 
JST資料番号： B0952A  ISSN： 0024-9297  CODEN： MAMOBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 摩擦転写法により調製したポリテトラフルオロエチレン(PTFE)配向膜上にPVDF-TrFE薄膜をスピンコートし,135°Cでの熱処理によりハイスループットにエピタキシャルを成長させた。その結果,両者の構造類似性と結晶学的マッチングにより,PTFE配向(c軸)方向に垂直配向したPVDF-TrFEのエッジオンラメラ結晶が生成した。これをベースとして作製した強誘電体キャパシタアレイは,強誘電性熱ヒステリシスの顕著な低減と,±5Vの低作動電圧で効果的な分極スイッチング挙動を示した。この分極スイッチング性は5×10⁸サイクルの疲れテスト後にも初期値の88%を保持した。ゲート誘電体としてエピタキシャルPVDF-TrFE層を用いた強誘電体電界効果トランジスタメモリは約10²の双安定性オン/オフ比をもつ飽和I-Vヒステリシスを示した。

シソーラス用語： *高分子薄膜 ,  *エピタクシー ,  ポリテトラフルオロエチレン ,  分子配向 ,  配向ベクトル ,  スループット ,  ラメラ ,  *コンデンサ ,  ヒステリシス ,  FET【トランジスタ】 ,  電流電圧特性 ,  不揮発性メモリ ,  強誘電性 ,  分極 ,  スイッチング ,  結晶方位 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体
準シソーラス用語： *VDF-TrFE ,  ハイスループット ,  *強誘電体キャパシタ

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性 ,  重合体 ,  秩序化 ,  強誘電性 ,  薄膜