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J-GLOBAL ID：200902253311473503   整理番号：09A1124629

TlGaSe₂結晶の輸送特性測定

Measurements of transport properties of TlGaSe2 crystals

著者 (1件)： SHABAN H.t. (Physics Dep., Fac. of Sci., South Valley Univ., Qena, Egypt)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 119  号： 1-2  ページ： 131-134  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 改良型Bridgman法により,TlGaSe₂単結晶を成長させた。X線回折により,結晶構造を同定した。熱起電力(TEP)測定に向け,温度範囲200~492Kと163~602Kで,電気伝導率とHall効果の測定を行った。層状TlGaSe₂結晶の異方性を調べた。Hall効果と熱起電力測定結果では,研究低温範囲で外因性p型伝導を明らかにした。温度依存電気伝導率とキャリア濃度分析では,TlGaSe₂価電子バンド以上の0.2eVにアクセプタ準位が位置することを明らかにした。得られた実験データから結晶の主な特性パラメータを推定した。エネルギーギャップとアクセプタ濃度は,各2.23eVと9.6×10¹³cm^-3にあった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *タリウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  単結晶 ,  結晶成長 ,  Bridgman法 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  熱起電力 ,  電気伝導率 ,  Hall効果 ,  価電子バンド ,  不純物準位 ,  特性 ,  温度依存性 ,  異方性
準シソーラス用語： アクセプタ準位 ,  輸送特性

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶 ,  輸送特性