1次元と2次元の間のスイッチング  Si(557)上のPb誘起鎖構造の伝導率

TEGENKAMP C.; KALLASSY Z.; PFNUER H.; GUENTER H.-L.; ZIELASEK V.; HENZLER M.

文献

J-GLOBAL ID：200902253763014123 整理番号：05A0997316

1次元と2次元の間のスイッチング Si(557)上のPb誘起鎖構造の伝導率

Switching Between One and Two Dimensions: Conductivity of Pb-Induced Chain Structures on Si(557)

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資料名：
巻： 95 号： 17 ページ： 176804.1-176804.4 発行年： 2005年10月21日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

全ての多重層を脱着させ,表面上に鎖構造を形成するため,高温ア...

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表面の電子構造 , 半導体結晶の電気伝導

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