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J-GLOBAL ID:200902253799981995   整理番号:04A0128888

放射線による半導体素子の劣化・故障

Radiation Induced Failures and Degradation of Semiconductor Devices
著者 (1件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 37-45  発行年: 2004年01月25日 
JST資料番号: L2778A  ISSN: 0919-2697  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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人工衛星搭載用半導体素子の,宇宙放射線環境下での誤動作や故障...
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  宇宙飛行体 
タイトルに関連する用語 (3件):
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