放射線による半導体素子の劣化・故障

文献

J-GLOBAL ID：200902253799981995 整理番号：04A0128888

Radiation Induced Failures and Degradation of Semiconductor Devices

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 26 号： 1 ページ： 37-45 発行年： 2004年01月25日
JST資料番号： L2778A ISSN： 0919-2697 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

人工衛星搭載用半導体素子の,宇宙放射線環境下での誤動作や故障...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 宇宙飛行体

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