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J-GLOBAL ID：200902255153801010   整理番号：06A0204889

サファイア基板上の平面半極性窒化ガリウムのキャラクタリゼーション

Characterization of Planar Semipolar Gallium Nitride Films on Sapphire Substrates

著者 (10件)： BAKER Troy J. (Univ. California, CA, USA) ,  BAKER Troy J. (JST-ERATO) ,  HASKELL Benjamin A. (Univ. California, CA, USA) ,  HASKELL Benjamin A. (JST-ERATO) ,  WU Feng (Univ. California, CA, USA) ,  WU Feng (JST-ERATO) ,  SPECK James S. (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK James S. (JST-ERATO) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (JST-ERATO)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 4-7  ページ： L154-L157  発行年： 2006年02月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド気相エピタクシーにより,鏡面の平面半極性窒化ガリ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (27件)：

• NAKAMURA, S. The Blue Laser Diode. 2000
• EASTMAN, L. F. IEEE Spectrum. 2002, 39, 28
• TAKEUCHI, T. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 1691
• JIN SEO, I. Phys. Rev. B. 1998, 57, R9435
• LANGER, R. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3827

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  半極性 ,  窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション