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J-GLOBAL ID：200902255340054490   整理番号：08A0992224

溶液法p型ドーピングを経由する共役高分子の電気特性制御

Controlling Electrical Properties of Conjugated Polymers via a Solution-Based p-Type Doping

著者 (7件)： YIM Keng-Hoong (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  WHITING Gregory L. (Cambridge Display Technol. Ltd., Cambridgeshire, GBR) ,  MURPHY Craig E. (Cambridge Display Technol. Ltd., Cambridgeshire, GBR) ,  HALLS Jonathan J. M. (Cambridge Display Technol. Ltd., Cambridgeshire, GBR) ,  BURROUGHES Jeremy H. (Cambridge Display Technol. Ltd., Cambridgeshire, GBR) ,  FRIEND Richard H. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  KIM Ji-Seon (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 20  号： 17  ページ： 3319-3324  発行年： 2008年09月03日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共役高分子の溶液にp型ドーパントとしてテトラフルオロ-テトラシアノ-キノジメタンを添加し,PEDOT-PSS被覆されたITO交差指型電極表面に高分子膜を形成した。紫外可視吸収スペクトル,時間相関単一光子計数による光ルミネセンス減衰,Ramanスペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。ドーピング濃度によりしきい電圧が低下し,電気伝導率が1~2桁改善された。HOMOエネルギー準位が低い高分子で添加効果が顕著であり,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)>ポリ(9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-alt-ビス-N,N-(4-ブチルフェニル)-ビス-N,N-フェニル-1,4-フェニレンジアミン)(PFB)>ポリ(9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-alt-(1,4-フェニレン-((4-sec-ブチルフェニル)イミノ)-1,4-フェニレン)(TFB)>ポリ(9,9-ジ-n-オクチルフルオレン-alt-ベンゾチアジアゾール)(F8BT)の序列を示した。

シソーラス用語： *重合体 ,  ドーピング ,  高分子溶液 ,  添加物効果 ,  *高分子修飾電極 ,  NaPSS ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  インタリーブ ,  紫外可視吸収スペクトル ,  相関 ,  光子計数 ,  *光ルミネセンス ,  *蛍光減衰 ,  Ramanスペクトル ,  *電気伝導率 ,  HOMO ,  エネルギー準位 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  ポリフルオレン ,  交互共重合体 ,  芳香族アミン ,  高分子半導体 ,  *導電性高分子 ,  *閾値電圧 ,  *共役重合体
準シソーラス用語： ITO電極 ,  PEDOT ,  *しきい電圧 ,  *共役高分子 ,  交互積層 ,  時間相関

分類 (3件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  電極過程  (CB07040U) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A)

物質索引 (3件)： 2,1,3-ベンゾチアジアゾール ,  3-ヘキシルチオフェン ,  テトラフルオロ-TCNQ

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液 ,  p型ドーピング ,  共役高分子 ,  電気特性