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J-GLOBAL ID：200902255697183450   整理番号：08A0988096

エピタキシャルグラフェンのテラヘルツから可視域までの光吸収スペクトルの測定

Measurement of the optical absorption spectra of epitaxial graphene from terahertz to visible

著者 (9件)： DAWLATY Jahan M. (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SHIVARAMAN Shriram (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  STRAIT Jared (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  GEORGE Paul (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  CHANDRASHEKHAR Mvs (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  RANA Farhan (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  SPENCER Michael G. (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853, USA) ,  VEKSLER Dmitry (Center for Terahertz Res., Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA) ,  CHEN Yunqing (Center for Terahertz Res., Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, New York 12180, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 13  ページ： 131905  発行年： 2008年09月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可視域からテラヘルツ周波数域まで,エピタキシャルグラフェンの光吸収スペクトルを実験により調べた。テラヘルツ域では,吸収がバンド内過程で支配され,その周波数依存性はDrude模型に類似する。近IR域では,吸収はバンド間過程が原因で,測定した光学伝導率は理論値2πe²/4hに近い。測定結果から,キャリア密度,炭素原子層の数,およびバンド内散乱時間を求めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電磁波 ,  *光吸収スペクトル ,  光吸収 ,  赤外吸収スペクトル ,  可視吸収スペクトル ,  バンド構造 ,  光学定数 ,  キャリア密度 ,  電子散乱 ,  炭化ケイ素 ,  エピタクシー ,  熱分解 ,  電子遷移 ,  *グラフェン ,  テラヘルツ波 ,  バンド間遷移 ,  バンド内遷移
準シソーラス用語： Drudeの式 ,  光学伝導率 ,  散乱時間

分類 (3件)： 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P) ,  その他の光物性  (BM08110J)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャルグラフェン ,  テラヘルツ ,  光吸収スペクトル