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J-GLOBAL ID：200902255720762480   整理番号：08A0128710

分極下シリコンへの銀粒子の電気化学的に推進された侵入

Electrochemically driven intrusion of silver particles into silicon under polarization

著者 (4件)： KAWAMURA Yosuke L. (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  FUKAMI Kazuhiro (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  SAKKA Tetsuo (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN) ,  OGATA Yukio H. (Inst. of Advanced Energy, Kyoto Univ., Uji, Kyoto 611-0011, JPN)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 10  号： 2  ページ： 346-349  発行年： 2008年02月 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HF水溶液中での電解による銀粒子の侵入によって,少しドープしたp-型Siへの約100nmの直径をもつ細孔を形成した。経路は金属触媒無電解細孔形成に似ているが,本法は酸化剤の存在下での化学エッチングの代わりに陽分極を用いる。銀粒子のトラックとして形成した細孔の周囲にマイクロポーラス層を観測した。電流密度の増加と共に,トラックの周囲のマイクロポーラス層の厚さが増えた。電流密度の時間プログラム変化に従って,厚さが変化した。逆に,銀粒子の侵入は多量にドープしたp-型シリコンではめったに起こらなかったが,ミクロ細孔は粒子の位置とは無関係に生成した。ドーパントの濃度は銀粒子支援多孔性化に影響を及ぼす。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多孔質シリコン ,  *銀 ,  粒子 ,  *陽分極 ,  P型半導体 ,  ナノ構造 ,  細孔 ,  ドーピング ,  電流密度 ,  多孔性 ,  走査電子顕微鏡 ,  電解 ,  ナノ細孔

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分極 ,  シリコン ,  銀粒子 ,  電気化学 ,  推進 ,  侵入