β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基板を基本とする縦型のソーラーブラインド深紫外ショットキー接合型光検出器

OSHIMA Takayoshi; OKUNO Takeya; ARAI Naoki; SUZUKI Norihito; OHIRA Shigeo; FUJITA Shizuo

文献

J-GLOBAL ID：200902255855309076 整理番号：08A0548932

β-Ga₂O₃基板を基本とする縦型のソーラーブラインド深紫外ショットキー接合型光検出器

Vertical Solar-Blind Deep-Ultraviolet Schottky Photodetectors Based on β-Ga₂O₃ Substrates

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資料名：
巻： 1 号： 1 ページ： 011202.1-011202.3 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

(100)配向したβ-Ga₂O₃基板を基本とする縦型のショットキー接合型光検出器を,熱アニーリングと真空蒸着を組み合わせた簡単なプロセスによって作製した。光検出器の±3Vにおける整流比は10⁶以上で,逆バイアスの下では深紫外光域に感度を持つことが分かった。200~260nmの波長域におけるスペクトル応答はソーラーブラインド特性を示し,光応答感度は2.6~8.7A/Wと高い値を示すことが分かった。これらの値は内部量子効率が1と仮定して算出した感度の35~150倍である。この結果は,10Vの逆バイアスの下において発生する1.0MV/cmの内部電場をの加わった抵抗値の高い表面で起こるキャリヤの増大に起因する。(翻訳著者抄録)

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測光と光検出器一般

引用文献 (14件)：

RAZEGHI, M. J. Appl. Phys. 1996, 79, 7433
HIRANO, A. Phys. Status Solidi A. 2001, 188, 293
MUNOZ, E. Phys. Status Solidi B. 2007, 244, 2859
TAKAGI, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L401
KOIKE, K. J. Cryst. Growth. 2005, 278, 288

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