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J-GLOBAL ID：200902256354025287   整理番号：06A0266026

酸性鉱化剤を用いた安熱合成法によるGaN単結晶作製

著者 (7件)： 鏡谷勇二 (東北大 多元物質科研) ,  川端紳一郎 (三菱化学) ,  吉川彰 (東北大 多元物質科研) ,  星野成大 (東北大 多元物質科研) ,  EHRENTRAUT Dirk (東北大 多元物質科研) ,  三川豊 (福田結晶技研) ,  福田承生 (東北大 多元物質科研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd  号： 1  ページ： 385  発行年： 2006年03月22日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *鉱化剤 ,...
準シソーラス用語： 安熱合成

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸性 ,  鉱化剤 ,  安熱合成 ,  GaN ,  単結晶作製