文献

J-GLOBAL ID：200902256488540676   整理番号：09A0609471

CNT移行現象を利用した半導電性高分子材料の設計

著者 (3件)： YOON Howon (北陸先端科学技術大学院大) ,  岡本健三 (北陸先端科学技術大学院大) ,  山口政之 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 成形加工(年次大会)  (成形加工)
巻： 20th  ページ： 301-302  発行年： 2009年05月26日 
JST資料番号： L3714A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *高分子半導体 ,  材料設計 ,  電気伝導率 ,  ポリカーボネート ,  ポリプロピレン ,  積層プラスチック ,  表面性状 ,  表面抵抗 ,  電気抵抗率 ,  パーコレーション ,  *分布 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  液体内拡散 ,  移動 ,  表面拡散 ,  焼なまし ,  高分子複合体 ,  高分子加工
準シソーラス用語： *局在化

分類 (1件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (6件)： CNT ,  移行 ,  現象 ,  半導電性 ,  高分子材料 ,  設計