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J-GLOBAL ID:200902256611368573   整理番号:09A0071636

シロール含有ポリチオフェンと2,1,3-ベンゾチアジアゾールに基づく低バンドギャップ重合体の合成,特性化ならびに光起電特性

Synthesis, Characterization, and Photovoltaic Properties of a Low Band Gap Polymer Based on Silole-Containing Polythiophenes and 2,1,3-Benzothiadiazole
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巻: 130  号: 48  ページ: 16144-16145  発行年: 2008年12月03日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新規低バンドギャップシロール含有共役重合体,ポリ(4,4′-ビス(2-エチルヘキシル)ジチエノ[3,2-b:2′,3′-d]シロール)-2,6-ジイル-alt-(2,1,3-ベンゾチアジアゾール)-4,7-ジイル](PSBTBT)の簡便合成を行った。これはテトラクロロシランから誘導したシロールと,対応するブロモベンゾチアジアゾールとのカップリング反応による常法で合成した。得られたPSBTBTの光起電力特性をまず検討し,次いで平均電力変換効率(PCE)を調べた。その結果照明下で平均値4.7%,最大5.1%を記録した。デバイスの応答範囲は380~800nmの全可視域をカバーできた。これらの結果から,PSBTBTは高分子太陽電池への応用面で前途有望な高分子材料であることが分かった。
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