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J-GLOBAL ID：200902256723915640   整理番号：09A0394322

高モビリティと低Tモビリティ特性をもつGeの(100)及び(111)のN型とP型FET

Ge (100) and (111) N- and P-FETs With High Mobility and Low-T Mobility Characterization

著者 (4件)： KUZUM Duygu (Stanford Univ., CA, USA) ,  PETHE Abhijit J. (Intel Corp., OR, USA) ,  KRISHNAMOHAN Tejas (Stanford Univ., CA, USA) ,  SARASWAT Krishna C. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 56  号： 4  ページ： 648-655  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeO_xN_y誘電体をもつバルクGeのN及びP型FETを製作し,現在までに,Ge NMOSの最高のμ_nと,Siに関する正孔モビリティ(μ_p)を2倍改善したことを報告した。本稿では,そのデバイス製造技術の詳細を提供した。Geバンドギャップを横切るD_itの正確な分布を抽出するために,低温でのコンダクタンス法を使用してGe-GeON界面を研究した。基板方向(100)に比べ(111)は50%高い電子モビリティを示した。低温モビリティ測定を通してキャリア散乱メカニズムと,そのμ_nとμ_pに対する影響を調査した。電荷トラップとCoulomb散乱が,Ge MOSFETの理論的可能性に関して観察された貧弱なGe NMOSのための,主要な応答であることを見出した。

シソーラス用語： *移動度 ,  *ゲルマニウム ,  FET【トランジスタ】 ,  誘電体 ,  *MOSFET ,  ケイ素 ,  正孔 ,  バンドギャップ ,  コンダクタンス ,  電子 ,  キャリア散乱 ,  電荷 ,  捕獲 ,  Coulomb散乱
準シソーラス用語： *Ge ,  nMOSFET ,  Si ,  *モビリティ ,  電荷トラップ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： モビリティ ,  Ge ,  FET