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J-GLOBAL ID：200902256770075900   整理番号：09A0655008

多孔質炭化ケイ素セラミックスのポロシティーの制御

Porosity control of porous silicon carbide ceramics

著者 (5件)： CHAE Su-ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Univ. of Seoul, 90 Jeonnong-dong, Dongdaemoon-ku, Seoul 130-743, KOR) ,  KIM Young-wook (Dep. of Materials Sci. and Engineering, The Univ. of Seoul, 90 Jeonnong-dong, Dongdaemoon-ku, Seoul 130-743, KOR) ,  SONG In-hyuck (Engineering Ceramics Group, Korea Inst. of Materials Sci., Changwon, Gyeongnam 641-831, KOR) ,  KIM Hai-doo (Engineering Ceramics Group, Korea Inst. of Materials Sci., Changwon, Gyeongnam 641-831, KOR) ,  NARISAWA Masaki (Dep. of Materials Sci., Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-Ku, Sakai ...)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 29  号： 13  ページ： 2867-2872  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質のSiCセラミックスを,ポリマーのマイクロビーズを含む,ポリシロキサンから誘導したSiOCの炭素熱還元と,その後の焼結で作製した。SiC粉末:ポリシロキサン誘導SiC(SiC:PDSiC)比が,多孔質SiCセラミックのポロシティーと曲げ強さに及ぼす影響を調査した。一般に,同じ温度で焼結すると,SiC:PDSiC比が減少すると,ポロシティーは増加した。犠牲テンプレートの含有量を50vol%に保ち,焼結温度とSiC:PDSiC比を調整することによって,多孔質SiCセラミックのポロシティーを32~64%の範囲に制御することが可能であった。一般に,同じSiC:PDSiC比では,ポロシティーの増加で,曲げ強さは減少した。しかしながら,9:1のSiC:PDSiC比で1750°Cの焼結温度では,50%のポロシティーで,57MPaの優れた強さが実現した。焼結温度とSiC:PDSiC比の賢明な選択が,多孔性のSiCセラミックのポロシティーと強さを制御するための効率的な方法である。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多孔質体 ,  *炭化ケイ素 ,  *セラミック ,  多孔性 ,  ポリシロキサン ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  炭化物 ,  還元 ,  熱化学反応 ,  炭素 ,  焼結 ,  重量 ,  比率 ,  曲げ強さ ,  加工温度 ,  焼結温度 ,  炭素熱還元 ,  シリコンオキシカーバイド ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： *ポロシティ ,  酸炭化けい素

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック材料  (HC04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多孔質 ,  炭化ケイ素 ,  セラミックス ,  ポロシティー