文献

J-GLOBAL ID：200902256772532225   整理番号：08A0424508

ケミカル・リフトオフ・プロセスを用いた縦型発光ダイオードの作製

The realization of vertical light emitting diodes (V-LEDs) using chemical lift-off (CLO) processes

著者 (9件)： HA Jun-Seok (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LEE S. W. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LEE H. J. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LEE H.-J. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  LEE S. H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATO T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJII Katsushi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHO M. W. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAO T. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 416  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *微細加工 ,  *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  サファイア ,  基板 ,  バッファ層 ,  MOCVD ,  *エッチング ,  クロム化合物 ,  窒化物 ,  熱伝導率 ,  電流容量 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： *リフトオフ法 ,  窒化クロム ,  直列抵抗

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ケミカル ,  リフトオフ ,  プロセス ,  縦型 ,  発光ダイオード ,  作製