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J-GLOBAL ID：200902256874554185   整理番号：08A0440907

超薄膜MoO₃正孔注入層による有機EL素子の特性改善

著者 (2件)： 松島敏則 (北陸先端科学技術大学院大) ,  村田英幸 (北陸先端科学技術大学院大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1376  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超薄膜 ,  *キャリア注入 ,  *半導体素子 ,  抵抗加熱 ,  Ohm接触 ,  接触抵抗 ,  エネルギー変換 ,  酸化モリブデン ,  *有機EL素子
準シソーラス用語： *有機エレクトロルミネセンスデバイス

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超薄膜 ,  正孔注入 ,  有機EL素子 ,  特性改善