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J-GLOBAL ID：200902256973545341   整理番号：09A1252843

SiO₂上のPd活性化自己集合単分子層を伴った無電解Ni-Mo-P拡散層

Electroless Ni-Mo-P diffusion barriers with Pd-activated self-assembled monolayer on SiO₂

著者 (3件)： LIU Dian-long (Dep. of Material Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  YANG Zhi-gang (Dep. of Material Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN) ,  ZHANG Chi (Dep. of Material Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084, CHN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 166  号： 1  ページ： 67-75  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超巨大スケール集積回路(ULSI)中でのCu相互接続のための拡散障壁層として3元Niベースの非晶質膜が使える。本論文では,SiO₂層上にスパッタしたシード層無しで無電解めっきしたNi-Mo-P膜をPd活性化自己集合単分子層(SAM)により作った。前処理および堆積のための溶液と運転条件について述べ,Pd活性化SAMの形成をXPS(X線光電子分光)分析とBSE(後方散乱電子)観測で実証した。電解質中に加えたNa₂MoO₄の濃度,pH値および浴温度のNi-Mo-P膜の表面形態と組成への効果を調べた。微細構造,拡散障壁の性質,電気抵抗および付着を吟味した。実験結果に基づくと,Pd活性化SAMを使って作ったNi-Mo-P合金は非晶質または非晶質類似の構造を持ち,拡散障壁層として良好な性能を持つ。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 超LSI ,  *銅 ,  *相互接続 ,  *拡散障壁 ,  *非晶質 ,  *無電解めっき ,  *ニッケル ,  *モリブデン ,  *リン ,  パラジウム ,  活性化 ,  *自己組織系 ,  後方散乱 ,  ナトリウム化合物 ,  モリブデン酸塩 ,  pH【水素イオン指数】 ,  微細構造 ,  電気抵抗 ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： モリブデン酸ナトリウム ,  *自己集合単分子層

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  無電解めっき  (WC08024S)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiO2 ,  Pd ,  活性化 ,  自己集合単分子層 ,  電解 ,  Ni ,  Mo ,  拡散層