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J-GLOBAL ID：200902257186990512   整理番号：05A0521900

GaAs表面からスパッタされたGa(5s2S1/2)の残存係数

Survival coefficient of Ga(5s2S1/2) sputtered from a GaAs surface
著者 (2件)：
TSURUBUCHI Seiji

TSURUBUCHI Seiji について

(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Naka-cho 2-24-16, Koganei-shi, Tokyo 184-8588, JPN)

Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Naka-cho 2-24-16, Koganei-shi, Tokyo 184-8588, JPN について

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NIMURA Tomoaki

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(Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Naka-cho 2-24-16, Koganei-shi, Tokyo 184-8588, JPN)

Dep. of Applied Physics, Tokyo Univ. of Agriculture and Technol., Naka-cho 2-24-16, Koganei-shi, Tokyo 184-8588, JPN について


資料名：
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms について


巻： 232  号： 1-4  ページ： 159-164  発行年： 2005年05月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
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単結晶GaAs(100)から励起Ga(5s)原子がトンネリン...
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*ヒ化ガリウム

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