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J-GLOBAL ID：200902257429778908   整理番号：08A0890958

III-V/Si集積マイクロレーザ用のフォトニック結晶ミラーに基づく垂直微小共振器

Vertical microcavities based on photonic crystal mirrors for III-V/Si integrated microlasers

著者 (11件)： FERRIER Lydie (Univ. Lyon, Ecully) ,  BOUTAMI Salim (Univ. Lyon, Ecully) ,  MANDORLO Fabien (Univ. Lyon, Ecully) ,  LETARTRE Xavier (Univ. Lyon, Ecully) ,  ROJO ROMEO Pedro (Univ. Lyon, Ecully) ,  VIKTOROVITCH Pierre (Univ. Lyon, Ecully) ,  GILET Philippe (CEA-Leti, Grenoble, FRA) ,  BEN BAKIR Badhise (CEA-Leti, Grenoble, FRA) ,  GROSSE Philippe (CEA-Leti, Grenoble, FRA) ,  FEDELI Jean-Marc (CEA-Leti, Grenoble, FRA) ,  CHELNOKOV Alexei (CEA-Leti, Grenoble, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6989  ページ： 69890W.1-69890W.12  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂中に埋込まれたSiおよびa-Siの1Dフォトニック結晶(PhC)ミラーの特性を測定して,FDTDシミュレーションと比較した。反射率は170nmの波長範囲において98.7%以上であった。このSiとa-Si PhCミラーをSiO₂層の上下に設けた極めて小型のFabry-Perot共振器は1.53μmにおいて2400のQ値が得られた。また,Si PhCミラーを形成したSi基板と量子井戸をもつInP層を分子結合し,InP PhCミラーを形成して,それらの間に利得媒質を含む垂直共振器を形成するプロセスを示した。この垂直共振器とその直下のリッジ導波路との結合を検討した。位相整合を考慮した設計と結合効率のシミュレーション結果も示した。

シソーラス用語： *微小共振器 ,  *レーザ共振器 ,  *反射鏡 ,  垂直方向 ,  二酸化ケイ素 ,  埋込み【挿入】 ,  ケイ素 ,  アモルファスシリコン ,  キャラクタリゼーション ,  計算機シミュレーション ,  有限差分時間領域法 ,  反射率 ,  Fabry-Perot共振器 ,  Q値 ,  *量子井戸レーザ ,  *量子井戸 ,  *リン化インジウム ,  リッジ導波管 ,  モード結合 ,  位相整合 ,  化合物半導体 ,  集積層 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： マイクロレーザ ,  結合効率

分類 (2件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  集積 ,  マイクロレーザ ,  フォトニック結晶 ,  ミラー ,  垂直 ,  微小共振器