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J-GLOBAL ID：200902257688231020   整理番号：03A0724014

n-ZnO/p-Si構造を用いた紫外領域強化フォトダイオード

Ultraviolet-enhanced photodiode employing n-ZnO/p-Si structure

著者 (3件)： JEONG I-S (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM J H (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  IM S (Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 14  ページ： 2946-2948  発行年： 2003年10月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外照射に対して逆バイアスに比例した誘起光電流を示し,可視光...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  Si ,  紫外領域 ,  強化 ,  フォトダイオード