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J-GLOBAL ID：200902258136826700   整理番号：04A0589483

W-CDMA基地局用の高利得15.5dBを持つ28V,250W,GaAs電力FET

A 28V 250W GaAs Power FET with High Gain of 15.5dB for W-CDMA Base Stations

著者 (5件)： NAGAHARA M (FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN) ,  INOUE K (FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN) ,  SANO S (FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN) ,  TAKAHASHI H (FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN) ,  TAKASE S (FUJITSU QUANTUM DEVICE LTD., Yamanashi, JPN)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2004  号： Vol.3  ページ： 1359-1362  発行年： 2004年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W-CDMA基地局に使用される電力増幅器には,高い飽和出力電...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： GaAs ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： W-CDMA ,  基地局 ,  高利得 ,  GaAs ,  FET