文献

J-GLOBAL ID：200902258268102395   整理番号：09A1064775

n型GaAs(110)表面に関するトンネルスペクトルに対する表面状態の影響

Influence of surface states on tunneling spectra of n-type GaAs(110) surfaces

著者 (3件)： ISHIDA Nobuyuki (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUEOKA Kazuhisa (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FEENSTRA R. M. (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 80  号： 7  ページ： 075320.1-075320.8  発行年： 2009年08月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型トンネル顕微鏡(STM)が発明されてから,走査型トンネル分光法(STS)がSTMの主要な部分と見なされ,実験法や解析法を改善するために常に努力が続けられている。一般的に,トンネルコンダクタンスは表面における局所状態密度に比例する量として説明され,観測されるスペクトルの特徴はFermi準位と試料のチップ電圧の和で与えられるエネルギーにおける状態に関係している。本稿では,n型GaAs(110)表面に関するトンネルスペクトルに対する表面準位の効果について報告する。n型GaAs(110)表面の伝導バンド内の表面準位が,探針チップによって加えられる電位によって形成される蓄積層から流れ出すトンネル電流を低下させるのに重要な役割を果たすことが分かった。探針チップ誘起バンド湾曲(TIBB)に関する静電ポテンシャル計算と組み合わせたトンネル電流の数値計算から,表面準位の占有がTIBBを制限し,また電子の蓄積量を制限することが分かった。結果として,蓄積層から流れ出るトンネル電流は大幅に抑制され,この計算結果は実験値と良く一致することが分かった。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *ヒ化ガリウム ,  N型半導体 ,  表面構造 ,  状態密度 ,  Fermi準位 ,  *表面準位 ,  スペクトロスコピー ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  伝導バンド ,  電極チップ ,  電位 ,  電流 ,  *トンネル効果 ,  数値計算 ,  SCF法
準シソーラス用語： トンネルコンダクタンス ,  トンネル電流 ,  局所状態密度 ,  静電ポテンシャル ,  走査型トンネル分光法

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  トンネルスペクトル