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J-GLOBAL ID:200902258949929050   整理番号:09A0552361

MgNiO基板上の金属-半導体-金属紫外線検出器

MgNiO-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector
著者 (10件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 092007,1-4  発行年: 2009年05月07日 
JST資料番号: B0092B  ISSN: 0022-3727  CODEN: JPAPBE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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金属・半導体・金属(MSM)構造の検出器を石英基板上のMg0.2Ni0.8O薄膜上に作り,その特性を調べた。電子ビーム蒸着(EBE)によってMgxNi1-x合金薄膜を成長する。5Vのバイアス電圧をかけた時,暗電流が約70nAである。検出器のピーク感度は波長320nmにあり約147.3μAW-1で,カットオフ波長は340nmにある。MgxNi1-xOが紫外線検出器として有望な材料であると結論する。
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分類 (1件):
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測光と光検出器一般 
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